Компания STMicroelectronics выпустила новые IGBT-модули S-серии на напряжение 1200В, отличительной особенностью которых является очень низкое напряжение насыщения (Uкэ) и высокая эффективность работы на частотах до 8 кГц. На сегодняшний день новые IGBT-модули S-серии от компании STMicroelectronics являются единственными модулями на рынке IGBT класса напряжения 1200В, обладающими столь низким уровнем напряжения насыщения. Напряжение насыщения IGBT-модуля является одним из важнейших параметров при разработке устройства, поскольку оно позволяет рассчитать потери транзистора в открытом состоянии. Таким образом, чем ниже напряжение насыщения, тем ниже будут потери и соответственно меньшего размера радиатор необходимо применить в устройстве, снижая, тем самым, габариты устройства в целом. К тому же отслеживание этого параметра является одним из известных методов выявления КЗ. Контролируя напряжение насыщения, можно выявить перегрузку по току. IGBT-модули S-серии от компании ST Microelectronics найдут достойное применение в сварочном оборудовании, драйверах, в солнечных батареях, в источниках бесперебойного питания и во многих других устройствах.